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晶体管
IPT60R080G7XTMA1参考图片

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IPT60R080G7XTMA1

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数量单价合计
1
¥47.5617
47.5617
10
¥42.9513
429.513
25
¥40.9512
1023.78
100
¥35.5724
3557.24
2,000
¥25.9674
51934.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
HSOF-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
69 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
42 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
167 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
Reel
系列
CoolMOS C7 Gold
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Infineon Technologies
下降时间
3.5 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
61 ns
典型接通延迟时间
19 ns
零件号别名
IPT60R080G7 SP001615904
商品其它信息
优势价格,IPT60R080G7XTMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES FLT LD 1.2x1.2mm
1:¥3.616
10:¥1.7628
100:¥1.2091
500:¥0.99101
10,000:¥0.56839
20,000:查看
参考库存:24243
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-11
1:¥1.4577
10:¥1.2995
100:¥0.46104
1,000:¥0.30736
10,000:¥0.20792
20,000:查看
参考库存:36745
晶体管
MOSFET HIGH POWER BEST IN CLASS
1:¥22.2045
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.221
1,000:¥10.9158
参考库存:4247
晶体管
MOSFET Power FREDFET - MOS8
1:¥48.7934
10:¥43.8779
25:¥39.9568
100:¥36.0357
参考库存:2179
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥4.8364
10:¥4.0454
100:¥2.6103
1,000:¥2.0905
参考库存:6751
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