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晶体管
STF15N60M2-EP参考图片

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STF15N60M2-EP

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.340 Ohm typ., 11 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a TO-220FP package
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数量单价合计
1
¥17.289
17.289
10
¥14.6787
146.787
100
¥11.752
1175.2
500
¥10.2943
5147.15
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
11 A
Rds On-漏源导通电阻
378 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
17 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STF15N60M2-EP
商标
STMicroelectronics
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，STF15N60M2-EP的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FF300R12KT4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 300A
1:¥972.5684
5:¥953.4262
10:¥909.0172
25:¥889.8863
参考库存:4589
FS200R12KT4R
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 200A
1:¥1,640.534
5:¥1,601.0405
10:¥1,561.3097
25:¥1,539.4103
参考库存:4541
FQD5P20TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥5.2997
10:¥4.4296
100:¥2.8589
1,000:¥2.2939
2,500:¥2.0566
参考库存:20868
IPD031N06L3GATMA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 100A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥17.515
10:¥14.8256
100:¥11.9102
500:¥10.3734
2,500:¥7.9891
5,000:查看
参考库存:27410
MCH6344-TL-H
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7854
1,000:¥1.3786
3,000:¥1.1752
参考库存:29252
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