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IRG4BC30FPBF

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1
¥20.2835
20.2835
10
¥17.289
172.89
100
¥14.9838
1498.38
250
¥14.2154
3553.85
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.59 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
31 A
Pd-功率耗散
100 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
31 A
高度
8.77 mm
长度
10.54 mm
宽度
4.69 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
零件号别名
SP001541932
单位重量
6 g
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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