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晶体管
NTR4170NT1G参考图片

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NTR4170NT1G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET NFET SOT23 30V 4A TR
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数量单价合计
1
¥2.7685
2.7685
10
¥2.0566
20.566
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.83733
837.33
3,000
¥0.72207
2166.21
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
3.9 A
Rds On-漏源导通电阻
55 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
600 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
4.76 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.25 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.94 mm
长度
2.9 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
NTR4170N
晶体管类型
1 N-Channel
类型
Power MOSFET
宽度
1.3 mm
商标
ON Semiconductor
正向跨导 - 最小值
8 S
下降时间
3.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9.9 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15.1 ns
典型接通延迟时间
6.4 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格，NTR4170NT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SB1201S-TL-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 2A 50V
1:¥4.9155
10:¥4.0906
100:¥2.4973
700:¥1.9323
2,100:¥1.6498
参考库存:6339
SSM6N57NU,LF
Toshiba
晶体管
MOSFET 2N-Ch U-MOS VI FET ID 4A 30VDSS
1:¥4.1471
10:¥2.7572
100:¥1.5481
1,000:¥1.12209
3,000:¥0.96841
参考库存:6546
FQPF5P20
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V P-Channel QFET
1:¥9.831
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.7065
参考库存:2958
DRA2114E0L
Panasonic
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TRANS W/ BLT-IN RES GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥3.842
10:¥2.1357
100:¥1.1413
500:¥0.95259
3,000:¥0.52997
9,000:查看
参考库存:30860
TTC5200(Q)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN PWR Amp Trans 15A 150W 230V
1:¥21.2101
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9893
参考库存:2822
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