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晶体管
TPH1R204PL,L1Q参考图片

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TPH1R204PL,L1Q

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET POWER MOSFET TRANSISTOR PD=132W
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数量单价合计
1
¥10.5994
10.5994
10
¥8.5315
85.315
100
¥6.5201
652.01
500
¥5.7517
2875.85
5,000
¥4.0341
20170.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOP-Advance-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
150 A
Rds On-漏源导通电阻
2.1 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
74 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
132 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.95 mm
长度
5 mm
系列
U-MOSIX-H
宽度
5 mm
商标
Toshiba
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
5000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
58 ns
典型接通延迟时间
33 ns
单位重量
851 mg
商品其它信息
优势价格,TPH1R204PL,L1Q的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET T6 40V NCH LL IN U8FL
5,000:¥2.5764
10,000:¥2.486
25,000:¥2.4069
参考库存:47915
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40Vcbo 40Vceo 625mW 1.5W 100mA
2,500:¥4.8138
参考库存:47920
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,887.7328
5:¥1,842.3181
10:¥1,796.5192
25:¥1,771.388
参考库存:47925
晶体管
MOSFET N-channel 40 V 12 mo FET
1,500:¥1.7628
9,000:¥1.695
24,000:¥1.6272
49,500:¥1.5933
参考库存:47930
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -20Vceo
2,500:¥0.95259
10,000:¥0.89157
参考库存:47935
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