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晶体管
SIR826DP-T1-GE3参考图片

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SIR826DP-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET
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数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥18.8258
188.258
100
¥14.5996
1459.96
500
¥12.7577
6378.85
3,000
¥12.7577
38273.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
60 A
Rds On-漏源导通电阻
4.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
60 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
104 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
TrenchFET, PowerPAK
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SIR
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.15 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
80 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
36 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
SIR826DP-GE3
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格，SIR826DP-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2SB1204T-E
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP PNP 8A 50V
1:¥6.1472
10:¥5.1076
100:¥3.2996
1,000:¥2.6329
参考库存:3834
NSBA124EDP6T5G
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双极晶体管 - 预偏置 DUAL PBRT
1:¥2.6894
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
8,000:¥0.66896
24,000:查看
参考库存:41741
SQS405ENW-T1_GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
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1:¥7.91
10:¥6.4975
100:¥4.9833
500:¥4.2827
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:5453
STU2N62K3
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MOSFET N-Ch 620V 3 Ohm 2.2A SuperMESH
1:¥9.5259
10:¥8.1473
100:¥6.2828
500:¥5.5596
参考库存:31745
FQP15P12
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 120V P-Channel QFET
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.8422
500:¥6.8704
1,000:¥5.4127
参考库存:3992
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