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晶体管
CSD16415Q5T参考图片

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CSD16415Q5T

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数量单价合计
1
¥20.905
20.905
10
¥17.7523
177.523
100
¥14.1363
1413.63
250
¥14.1363
3534.075
500
¥12.3735
6186.75
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-Clip-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
1.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
16 V
Qg-栅极电荷
21 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
156 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
6 mm
系列
CSD16415Q5
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
168 S
下降时间
12.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
30 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
16.6 ns
单位重量
125 mg
商品其它信息
优势价格,CSD16415Q5T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Medium Power
1:¥3.2996
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
2,500:¥0.89948
10,000:¥0.83733
参考库存:74053
晶体管
达林顿晶体管 NPN Pwr Darlington
1:¥11.4469
10:¥10.1474
100:¥8.1473
500:¥7.1077
参考库存:11900
晶体管
MOSFET N-Ch 600V 21mA SOT-23-3
1:¥4.5313
10:¥3.7855
100:¥2.4408
1,000:¥1.9549
3,000:¥1.9549
参考库存:20822
晶体管
MOSFET 650V N-Ch PFC FET 30Vgs 3.0nC 2.44Ohm
1:¥7.7631
10:¥6.3506
100:¥5.2997
500:¥4.0906
2,500:¥3.277
10,000:查看
参考库存:14529
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
1:¥49.4827
10:¥40.9512
100:¥33.7305
250:¥32.657
参考库存:4156
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