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晶体管
IGW75N65H5XKSA1参考图片

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IGW75N65H5XKSA1

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 Infineon s new TRENCHSTOP 5 IGBT technology redefines Best-in-class IGBT by providing unmatched performance in terms of efficiency for hard switching applications. The new family is a major breakthrough in IGBT innovation to match the market s high e
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数量单价合计
1
¥40.115
40.115
10
¥34.1147
341.147
100
¥29.5043
2950.43
250
¥28.0466
7011.65
500
¥25.1312
12565.6
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.65 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
120 A
Pd-功率耗散
395 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 H5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW75N65H5 SP001257936
单位重量
6.100 g
商品其它信息
优势价格，IGW75N65H5XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMC3025LDV-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 31V-40V
1:¥4.8364
10:¥4.0002
100:¥2.4408
1,000:¥1.8871
3,000:¥1.6046
参考库存:16629
PDTD143ETVL
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V NPN resistor-equipped
10,000:¥0.39211
20,000:¥0.36838
50,000:¥0.34578
100,000:¥0.29945
参考库存:24134
BC846ASQ-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) General Purpose Transistor
1:¥2.9154
10:¥1.9436
100:¥0.81473
1,000:¥0.5537
参考库存:24139
DCX143EH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 4.7K4.7K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:24144
JANTX2N3741
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥259.7983
5:¥246.8146
10:¥240.2832
25:¥220.8359
50:¥211.536
参考库存:2131
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