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晶体管
SSM6P49NU,LF参考图片

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SSM6P49NU,LF

  • Toshiba
  • 最新
  • MOSFET SM Sig MOS 2 in 1 P-Ch -4A -20V 12V GS
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10
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26.329
100
¥1.6611
166.11
1,000
¥1.243
1243
3,000
¥1.05994
3179.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
UDFN-6
通道数量
2 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
4 A
Rds On-漏源导通电阻
157 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Pd-功率耗散
1 W
配置
Dual
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.75 mm
长度
2 mm
系列
SSM6P49
晶体管类型
2 P-Channel
宽度
2 mm
商标
Toshiba
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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