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晶体管
IPA60R160P6XKSA1参考图片

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IPA60R160P6XKSA1

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数量单价合计
1
¥23.3571
23.3571
10
¥19.8202
198.202
100
¥17.2099
1720.99
250
¥16.2946
4073.65
500
¥14.5996
7299.8
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
23.8 A
Rds On-漏源导通电阻
144 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
44 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
16.15 mm
长度
10.65 mm
系列
CoolMOS P6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.85 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.6 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
12.5 ns
零件号别名
IPA60R160P6 SP001017082
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IPA60R160P6XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
BUK9C1R3-40EJ
Nexperia
晶体管
MOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
暂无价格
参考库存:41230
DDTA123YCA-7-F
Diodes Incorporated
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双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:41235
DMT10H009SSS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
2,500:¥3.2092
10,000:¥3.0849
25,000:¥2.9945
参考库存:41240
SI1404BDH-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V 1.9A 2.25W
3,000:¥2.0001
6,000:¥1.8758
9,000:¥1.808
24,000:¥1.7289
参考库存:41245
AFIC10275GNR1
NXP / Freescale
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥1,609.9562
参考库存:41250
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