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晶体管
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SS8550DTA

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数量单价合计
1
¥2.3052
2.3052
10
¥1.5594
15.594
100
¥0.65314
65.314
1,000
¥0.44522
445.22
2,000
¥0.34578
691.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3 Kinked Lead
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 25 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.28 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
SS8550
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
4.7 mm
长度
4.7 mm
封装
Ammo Pack
宽度
3.93 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
- 1.5 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
85
Pd-功率耗散
1 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
Transistors
单位重量
240 mg
商品其它信息
优势价格,SS8550DTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Digital Transtr Driver
1:¥3.4578
10:¥2.8476
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
3,000:¥1.1413
参考库存:17078
晶体管
MOSFET 60V N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥11.3678
10:¥9.6841
100:¥7.4354
500:¥6.5766
1,000:¥5.1867
3,000:¥4.5991
参考库存:110550
晶体管
MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8478
500:¥6.0455
3,000:¥4.2375
9,000:查看
参考库存:74387
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
1:¥22.4418
10:¥18.0574
100:¥14.4414
500:¥12.6786
1,000:¥10.5316
参考库存:58639
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Isolated DC/DC Converter
1:¥4.6895
10:¥3.8759
100:¥2.5086
1,000:¥2.0001
3,000:¥1.695
参考库存:18036
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