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晶体管
PBSS5260PAP,115参考图片

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PBSS5260PAP,115

  • Nexperia
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V 2A PNP/PNP lo VCEsat transistor
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数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥3.051
30.51
100
¥1.8645
186.45
1,000
¥1.4351
1435.1
3,000
¥1.2317
3695.1
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-2020-6
晶体管极性
PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 60 V
集电极—基极电压 VCBO
- 60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 7 V
集电极—射极饱和电压
- 100 mV
最大直流电集电极电流
- 3 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
250
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
- 2 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
170
Pd-功率耗散
1450 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
7.200 mg
商品其它信息
优势价格,PBSS5260PAP,115的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
10,000:¥0.2147
20,000:¥0.20001
50,000:¥0.18419
100,000:¥0.16159
参考库存:46327
晶体管
JFET JFET N-Channel -20V 50mA 400mW 2.3mW
124:¥52.8614
500:¥48.1832
1,000:¥41.9569
参考库存:46332
晶体管
IGBT 模块
1:¥84.9873
10:¥76.7609
25:¥73.224
100:¥63.5512
参考库存:46337
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 720-960 MHz 100 W AVG. 48 V
250:¥1,497.0014
参考库存:46342
晶体管
MOSFET 30V 50A 83W w/Sense Terminal
800:¥8.2264
2,400:¥7.684
4,800:¥7.4015
9,600:¥7.1077
参考库存:46347
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