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晶体管
AUIRFN8458TR参考图片

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AUIRFN8458TR

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 40V Dual N Channel HEXFET
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数量单价合计
1
¥15.2889
15.2889
10
¥12.9837
129.837
100
¥10.4525
1045.25
500
¥9.1417
4570.85
1,000
¥7.5258
7525.8
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
10 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
34 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.2 mm
长度
6 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
56 S
下降时间
19 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
71 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11 ns
典型接通延迟时间
9.7 ns
零件号别名
SP001522712
商品其它信息
优势价格，AUIRFN8458TR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
ULN2004ADR
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi-Vltg Hi-Crnt Darl Transistor Arrays
1:¥4.7686
10:¥4.0002
100:¥2.5651
1,000:¥2.0566
2,500:¥1.8645
参考库存:175326
TPH12008NH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 1490pF 22nC 12.3mOhm 44A 48W
1:¥10.2152
10:¥8.2264
100:¥6.2828
500:¥5.5596
5,000:¥3.8872
10,000:查看
参考库存:15593
ULN2003AIPWR
Texas Instruments
晶体管
达林顿晶体管 Hi Vltg HiCrrnt Darl Transistor Array
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥1.8419
参考库存:81160
FDB52N20TM
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 200V N-Ch MOSFET
1:¥17.8992
10:¥15.2098
100:¥12.1362
500:¥10.5994
800:¥8.8366
参考库存:126287
SSM3K56ACT,L3F
Toshiba
晶体管
MOSFET Small-signal MOSFET ID: 1.4A, VDSS: 20V
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
10,000:¥0.52206
20,000:查看
参考库存:111119
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