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晶体管
DGTD65T50S1PT参考图片

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DGTD65T50S1PT

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • IGBT 晶体管 IGBT 600V-X TO247 TUBE 0.45K
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库存:3,906(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥43.1886
43.1886
10
¥36.725
367.25
100
¥31.8095
3180.95
250
¥30.1936
7548.4
500
¥27.0522
13526.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
IGBT 晶体管
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
375 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
100 A
商标
Diodes Incorporated
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
5.600 g
商品其它信息
优势价格,DGTD65T50S1PT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel Mosfet
1:¥3.7629
10:¥2.7798
100:¥1.7515
1,000:¥1.3108
3,000:¥1.11418
参考库存:28515
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥4.068
10:¥3.4917
100:¥2.0001
1,000:¥1.5933
3,000:¥1.5933
参考库存:28267
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 8-60KHZ DSCRETE IGBT
1:¥25.6623
10:¥21.8203
100:¥18.9049
250:¥17.8992
800:¥13.6052
2,400:查看
参考库存:5319
晶体管
MOSFET 600V N-Channel QFET
1:¥15.9782
10:¥13.6052
100:¥10.9158
500:¥9.5259
参考库存:5481
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
1:¥6.8365
10:¥5.2997
100:¥4.6443
500:¥4.1471
3,000:¥2.2487
9,000:查看
参考库存:15623
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