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晶体管
AUIRFR120Z参考图片

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AUIRFR120Z

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • MOSFET AUTO 100V 1 N-CH HEXFET 190mOhms
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库存:14,923(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.9948
8.9948
10
¥7.6727
76.727
100
¥5.8986
589.86
500
¥5.2093
2604.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
8.7 A
Rds On-漏源导通电阻
190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
6.9 nC
最小工作温度
- 55 C
Pd-功率耗散
35 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Tube
高度
2.3 mm
长度
6.5 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
23 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
26 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
8.3 ns
零件号别名
SP001516680
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,AUIRFR120Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 200V NCh PowerTrench
1:¥6.6105
10:¥5.5144
100:¥3.5708
1,000:¥2.8476
3,000:¥2.4069
参考库存:6273
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 501V-650V
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8139
500:¥6.0229
1,000:¥4.7573
参考库存:3025
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 8V 24V
1:¥2.8476
10:¥1.8532
100:¥0.791
1,000:¥0.60681
参考库存:22377
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
1:¥10.4525
10:¥8.9157
100:¥6.8252
500:¥6.0342
800:¥4.7686
参考库存:25279
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Pwr Mid Perf Transistor SOT223 T&R 1K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:21221
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