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晶体管
IGW50N60T参考图片

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IGW50N60T

  • Infineon Technologies
  • 最新
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 50A
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数量单价合计
1
¥43.6406
43.6406
10
¥37.1092
371.092
100
¥32.1146
3211.46
250
¥30.51
7627.5
500
¥27.3573
13678.65
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
90 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Tube
高度
20.95 mm
长度
15.9 mm
宽度
5.3 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N60TFKSA1 IGW5N6TXK SP000054926
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IGW50N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 4.7kohm -100mA -50V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:25294
晶体管
MOSFET 650V Vds 30V Vgs TO-220AB
1,000:¥22.5887
3,000:¥21.4361
参考库存:25299
晶体管
SCR Silicon Controlled Rectifier
1:¥3.1527
10:¥2.1018
100:¥0.89948
1,000:¥0.69156
2,000:¥0.52206
参考库存:25304
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
10,000:¥0.34578
20,000:¥0.32318
50,000:¥0.29945
100,000:¥0.26103
参考库存:25309
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 TransDigital BJT NPN PNP 50V 100mA 6-Pin
3,000:¥0.34578
9,000:¥0.29945
24,000:¥0.27685
45,000:¥0.26103
99,000:¥0.23052
参考库存:25314
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