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晶体管
SIHG30N60E-E3参考图片

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SIHG30N60E-E3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:4,156(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥49.4827
49.4827
10
¥40.9512
409.512
100
¥33.7305
3373.05
250
¥32.657
8164.25
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
29 A
Rds On-漏源导通电阻
125 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
85 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
250 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
36 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
32 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
63 ns
典型接通延迟时间
19 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,SIHG30N60E-E3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.5262
100:¥12.4526
500:¥10.8367
1,000:¥8.9948
参考库存:9349
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 1.1A SOT-223-3
1:¥6.0681
10:¥5.0624
100:¥3.2657
1,000:¥2.6103
参考库存:161261
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.2207
10:¥6.1811
100:¥4.7573
500:¥4.2036
2,500:¥2.938
10,000:查看
参考库存:32513
晶体管
MOSFET 60V StrongIRFET Power Mosfet
1:¥9.2999
10:¥7.9891
100:¥6.1359
500:¥5.424
1,000:¥4.2827
4,000:¥4.2827
参考库存:70995
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV6E 45W NI270-2 FET
1:¥233.4354
5:¥223.1411
10:¥215.3102
25:¥187.8738
500:¥162.0533
参考库存:6197
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