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晶体管
STW18N60DM2参考图片

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STW18N60DM2

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 600 V, 0.260 Ohm typ., 12 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
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库存:2,580(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.2101
21.2101
10
¥17.9783
179.783
100
¥14.3736
1437.36
500
¥12.5995
6299.75
1,000
¥10.4525
10452.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
12 A
Rds On-漏源导通电阻
260 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
20 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
90 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
系列
STW18N60DM2
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
-
下降时间
32.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
9.5 ns
典型接通延迟时间
13.5 ns
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,STW18N60DM2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Automotive-grade N-channel 40 V, 2.2 mOhm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in a DPAK package
1:¥11.752
10:¥10.0683
100:¥7.684
500:¥6.7913
参考库存:14524
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS 41V-60V
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
2,500:¥6.1359
参考库存:14546
晶体管
MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
1:¥7.8422
10:¥6.7235
100:¥5.1641
500:¥4.5652
2,500:¥3.1979
10,000:查看
参考库存:14528
晶体管
MOSFET
1:¥150.1431
5:¥148.6063
10:¥138.4702
25:¥132.2439
参考库存:3090
晶体管
IGBT 模块
1:¥3,906.0823
5:¥3,670.7259
参考库存:2072
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