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晶体管
SIHU6N80E-GE3参考图片

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SIHU6N80E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 800V Vds 30V Vgs IPAK (TO-251)
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数量单价合计
1
¥18.0574
18.0574
10
¥14.9838
149.838
100
¥11.6051
1160.51
500
¥10.1474
5073.7
1,000
¥8.4524
8452.4
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.4 A
Rds On-漏源导通电阻
820 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
22 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
2.5 S
下降时间
18 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
9 ns
工厂包装数量
75
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
27 ns
典型接通延迟时间
13 ns
商品其它信息
优势价格，SIHU6N80E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SI6954ADQ-T1-E3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs TSSOP-8
1:¥7.1416
10:¥5.9099
100:¥4.5313
500:¥3.8985
3,000:¥3.8985
参考库存:33430
RD3P050SNTL1
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET Nch 100V 5A TO-252(DPAK)
1:¥5.989
10:¥4.9381
100:¥3.1866
2,500:¥3.1866
参考库存:21617
TK33S10N1Z,LQ
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 100V 10m max(VGS=10V) DPAK
1:¥12.2153
10:¥9.831
100:¥7.5258
500:¥6.6444
2,000:¥4.6556
10,000:查看
参考库存:71214
NSVMMBTA05LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 DR XSTR NPN
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:44171
QH8MA3TCR
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 30V N+P Ch MOSFET
1:¥4.9946
10:¥4.1019
100:¥2.6442
1,000:¥2.1244
3,000:¥1.7854
参考库存:17338
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