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晶体管
QH8MA3TCR参考图片

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QH8MA3TCR

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数量单价合计
1
¥4.9946
4.9946
10
¥4.1019
41.019
100
¥2.6442
264.42
1,000
¥2.1244
2124.4
3,000
¥1.7854
5356.2
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ROHM Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSMT-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel, P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
7 A, 5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
22 mOhms, 37 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
7.2 nC, 10 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.5 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel, 1 P-Channel
商标
ROHM Semiconductor
正向跨导 - 最小值
2.7 S, 3.3 S
下降时间
5.7 ns, 20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
8 ns, 12 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
12 ns, 40 ns
典型接通延迟时间
7.2 ns, 8 ns
零件号别名
QH8MA3
商品其它信息
优势价格,QH8MA3TCR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 500 mA, 50 V PNP resistor-equipped
1:¥2.6103
10:¥1.7967
100:¥0.75258
1,000:¥0.51528
3,000:¥0.40002
参考库存:36486
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V PNP Medium Pwr Low Sat Transistor
1:¥4.6895
10:¥3.8872
100:¥2.373
1,000:¥1.8419
2,500:¥1.5594
参考库存:43988
晶体管
JFET N-Ch Dual JFET -40V 50mA 650mW 3.3mW
1:¥175.5003
10:¥149.2278
100:¥138.6171
250:¥127.1702
参考库存:6495
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs DPAK (TO-252)
1:¥6.9156
10:¥5.4918
100:¥4.1697
500:¥3.4465
参考库存:26900
晶体管
MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8W
1:¥6.8365
10:¥5.6048
100:¥4.3053
500:¥3.7064
1,000:¥2.9154
3,000:¥2.9154
参考库存:22172
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