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晶体管
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IRGIB6B60KDPBF

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数量单价合计
1
¥22.7469
22.7469
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.7466
1674.66
250
¥15.9104
3977.6
500
¥14.2154
7107.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-220-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.8 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
11 A
Pd-功率耗散
38 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
RC
封装
Tube
高度
16 mm
长度
10.6 mm
宽度
4.8 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
SP001533840
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，IRGIB6B60KDPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DCP55-16-13
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W 60V
1:¥3.0736
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
2,500:¥1.00683
参考库存:20444
RCD051N20TL
ROHM Semiconductor
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET
2,500:¥1.5933
10,000:¥1.4916
25,000:¥1.4125
50,000:¥1.3786
参考库存:52897
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi
晶体管
IGBT 模块
100:¥491.3918
参考库存:52902
2N3821
Microsemi
晶体管
JFET JFET
100:¥180.80
250:¥166.1326
500:¥152.9907
参考库存:52907
PTVA127002EV-V1-R0
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥7,143.2046
参考库存:52912
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