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晶体管
IRFH4251DTRPBF参考图片

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IRFH4251DTRPBF

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET 25V Dual N-Ch 1.10mOhm 44nC 45A
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数量单价合计
1
¥21.0519
21.0519
10
¥17.8314
178.314
100
¥15.4471
1544.71
250
¥14.6787
3669.675
4,000
¥10.1474
40589.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PQFN-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
25 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
3.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.6 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
15 nC, 66 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
31 W, 63 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
FastIRFet
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.9 mm
长度
6 mm
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
131 S, 161 S
下降时间
15 ns, 60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
61 ns, 105 ns
工厂包装数量
4000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13 ns, 35 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 24 ns
零件号别名
SP001556236
商品其它信息
优势价格,IRFH4251DTRPBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 1A
1:¥4.0002
10:¥3.0058
100:¥1.6272
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.05316
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MOSFET Automotive-grade N-channel 60 V, 1.6 mOhm typ., 180 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package
1:¥23.4362
10:¥19.8993
100:¥17.289
250:¥16.3624
1,000:¥12.3735
2,000:查看
参考库存:6546
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1:¥21.8994
10:¥18.5998
100:¥16.1364
250:¥15.2889
800:¥11.6051
2,400:查看
参考库存:5993
晶体管
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1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,000:¥2.825
参考库存:35455
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.0736
10:¥2.6103
100:¥1.5933
1,000:¥1.2317
2,000:¥1.05316
10,000:¥1.03734
参考库存:2977
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