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晶体管
NSVMMBTA05LT1G参考图片

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NSVMMBTA05LT1G

  • ON Semiconductor
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  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS SOT23 DR XSTR NPN
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库存:44,171(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.2996
3.2996
10
¥2.1357
21.357
100
¥0.91417
91.417
1,000
¥0.70738
707.38
3,000
¥0.53788
1613.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极—射极饱和电压
0.25 V
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMBTA05LT1
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
500 mA
Pd-功率耗散
225 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,NSVMMBTA05LT1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel TrenchMOS logic level FET
1:¥8.2942
10:¥7.0512
100:¥5.4127
500:¥4.7799
800:¥3.7742
参考库存:4294
晶体管
达林顿晶体管 NPN Darlington
1:¥2.9945
10:¥2.4973
100:¥1.5255
1,000:¥1.1865
3,000:¥1.00683
参考库存:67701
晶体管
MOSFET P-CH -100V HEXFET MOSFET
1:¥14.7578
10:¥12.2944
100:¥9.5259
参考库存:16463
晶体管
IGBT 晶体管 600V 20A Field Stop
1:¥26.894
10:¥22.8938
100:¥19.8202
250:¥18.8258
800:¥14.2154
2,400:查看
参考库存:6855
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30 25V-30V,SOT23,3K
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:234382
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