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晶体管
SI4946CDY-T1-GE3参考图片

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SI4946CDY-T1-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V Vds 20V Vgs SO-8
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数量单价合计
1
¥7.458
7.458
10
¥5.9664
59.664
100
¥4.5313
453.13
500
¥3.729
1864.5
1,000
¥2.9945
2994.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
6.1 A
Rds On-漏源导通电阻
51.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
2.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.8 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
Si4946CDY
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
17 S
下降时间
20 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
35 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
14 ns
典型接通延迟时间
17 ns
商品其它信息
优势价格,SI4946CDY-T1-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 25V POWERBLOCK N CH MOSFET
1:¥21.357
10:¥18.1365
100:¥14.5205
250:¥14.5205
500:¥12.6786
参考库存:6921
晶体管
MOSFET 30V Dual N-Channel Trench MOSFET
1:¥2.7685
10:¥1.7628
100:¥0.75258
1,000:¥0.58421
10,000:¥0.39211
20,000:查看
参考库存:73408
晶体管
MOSFET NFET SO8FL 30V 236A
1:¥12.4526
10:¥10.5994
100:¥8.4524
500:¥7.4015
1,000:¥6.1359
1,500:¥5.7065
参考库存:10870
晶体管
MOSFET CONSUMER
1:¥3.1527
10:¥2.6668
100:¥1.6272
1,000:¥1.2656
3,000:¥1.07576
参考库存:125312
晶体管
MOSFET PSMN4R1-60YL/LFPAK/REEL 7" Q1/
1:¥8.8366
10:¥7.5258
100:¥5.7743
500:¥5.1076
1,500:¥3.5821
9,000:查看
参考库存:17699
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