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晶体管
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IPN60R3K4CEATMA1

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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.6668
26.668
100
¥1.6272
162.72
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.07576
3227.28
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-223-4
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
2.6 A
Rds On-漏源导通电阻
7.96 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
4.6 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.6 mm
长度
6.5 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
60 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
40 ns
典型接通延迟时间
8 ns
零件号别名
IPN60R3K4CE SP001434888
单位重量
112 mg
商品其它信息
优势价格，IPN60R3K4CEATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA432DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.1019
参考库存:25454
IRFI9634GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -250V HEXFET MOSFET
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:8016
FQA70N10
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.6787
500:¥13.221
参考库存:7103
BCM847BV,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:43730
TP0606N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 3.5Ohm
1:¥6.3732
10:¥6.3167
25:¥5.2997
100:¥4.8251
参考库存:22152
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