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晶体管
SIHG47N60AE-GE3参考图片

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SIHG47N60AE-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-247AC
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库存:6,168(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥59.9352
59.9352
10
¥53.9462
539.462
25
¥49.0985
1227.4625
100
¥44.3412
4434.12
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247AC-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
43 A
Rds On-漏源导通电阻
56 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
121 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
313 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
E
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
63 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
90 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
108 ns
典型接通延迟时间
34 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,SIHG47N60AE-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHAN 80V 47A
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
1,500:¥3.6838
参考库存:46028
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥9.5259
10:¥8.0682
100:¥6.2037
500:¥5.4805
1,000:¥4.3279
2,500:¥4.3279
参考库存:13530
晶体管
MOSFET AFSM T6 40V LL NCH
1:¥39.0302
10:¥33.1994
100:¥28.7359
250:¥27.2782
3,000:¥19.5942
参考库存:16032
晶体管
MOSFET NFET SC89 20V 915MA 230MO
1:¥3.7629
10:¥3.0623
100:¥1.8645
1,000:¥1.4464
3,000:¥1.2317
参考库存:39139
晶体管
MOSFET N-Channel 30V AEC-Q101 Qualified
1:¥17.063
10:¥14.1363
100:¥10.9836
500:¥9.605
3,000:¥7.4128
6,000:查看
参考库存:31036
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