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晶体管
IRFZ44PBF参考图片

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IRFZ44PBF

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET N-CH 60V HEXFET MOSFET
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数量单价合计
1
¥13.1419
13.1419
10
¥10.8367
108.367
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220AB-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
50 A
Rds On-漏源导通电阻
28 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
67 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
150 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
15.49 mm
长度
10.41 mm
系列
IRFZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
15 S
下降时间
92 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
110 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 ns
典型接通延迟时间
14 ns
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IRFZ44PBF的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
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10:¥1.2882
100:¥0.45313
1,000:¥0.30736
3,000:¥0.23052
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10:¥1.3108
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1:¥12.5204
10:¥10.1474
100:¥8.0682
500:¥7.0738
参考库存:1408
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