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晶体管
DMPH1006UPSQ-13参考图片

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DMPH1006UPSQ-13

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数量单价合计
1
¥7.91
7.91
10
¥6.8026
68.026
100
¥5.2206
522.06
500
¥4.6217
2310.85
1,000
¥3.6386
3638.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI5060-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
12 V
Id-连续漏极电流
80 A
Rds On-漏源导通电阻
4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
124 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
3.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
晶体管类型
1 P-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
94 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
21 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
105 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
96 mg
商品其它信息
优势价格,DMPH1006UPSQ-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T07H310-24S/CFM6F///REEL 13 Q2 NDP
150:¥1,057.0924
参考库存:44520
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 250mW Single (R1/R2)
3,000:¥0.83733
参考库存:44525
晶体管
MOSFET MOSFET
10,000:¥0.66896
20,000:¥0.62263
参考库存:44530
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 4Watt NF 1.3dB GaN
50:¥182.3368
100:¥161.138
250:¥149.838
500:¥139.3855
参考库存:44535
晶体管
MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
4,800:¥4.3053
9,600:¥4.1471
参考库存:44540
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