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IKY75N120CH3XKSA1参考图片

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IKY75N120CH3XKSA1

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数量单价合计
1
¥136.165
136.165
10
¥125.1701
1251.701
25
¥120.0286
3000.715
100
¥105.7341
10573.41
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO247-4-2
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
150 A
Pd-功率耗散
938 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
150 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IKY75N120CH3 SP001465128
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，IKY75N120CH3XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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