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产品分类

晶体管
SQ3426AEEV-T1_GE3参考图片

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SQ3426AEEV-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 60V Vds -/+20V Vgs AEC-Q101 Qualified
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库存:203,871(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥5.3788
5.3788
10
¥4.7008
47.008
100
¥3.9098
390.98
500
¥2.9154
1457.7
3,000
¥1.9888
5966.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
32 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
14 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
5 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
21 S
下降时间
4 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
7 ns
商品其它信息
优势价格,SQ3426AEEV-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Channel PwrTrench
1:¥10.0683
10:¥8.5315
100:¥6.5992
500:¥5.8308
2,500:¥4.0906
10,000:查看
参考库存:16439
晶体管
MOSFET SSOT-3 P-CH -20V
1:¥3.5369
10:¥2.9719
100:¥1.808
1,000:¥1.4012
3,000:¥1.1978
参考库存:81516
晶体管
IGBT 晶体管 N-CH 600V 50A
1:¥57.7882
10:¥52.2512
25:¥49.7878
100:¥43.2564
参考库存:5233
晶体管
MOSFET TAPE-7 MOSFET
1:¥4.0002
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
2,000:¥1.3334
参考库存:35930
晶体管
MOSFET 400V 25Ohm
1:¥5.6048
10:¥5.537
25:¥4.746
100:¥4.2714
参考库存:9697
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