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晶体管
SQJQ980EL-T1_GE3参考图片

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SQJQ980EL-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 80V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥18.984
18.984
10
¥15.7522
157.522
100
¥12.2153
1221.53
500
¥10.6785
5339.25
1,000
¥8.9157
8915.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-8x8-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
36 A
Rds On-漏源导通电阻
13.5 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
26 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
187 W
配置
Dual
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
商标
Vishay / Siliconix
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
10 ns
商品其它信息
优势价格，SQJQ980EL-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
FZ1800R17HP4_B29
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10:¥3.1301
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