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晶体管
STL20N6F7参考图片

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STL20N6F7

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • MOSFET N-channel 60 V, 0.0046 Ohm typ., 20 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package
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数量单价合计
1
¥7.3789
7.3789
10
¥6.2376
62.376
100
¥4.7912
479.12
500
¥4.2375
2118.75
3,000
¥2.9606
8881.8
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerFLAT-3.3x3.3-HV-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
5.4 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
78 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
STripFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
0.8 mm
长度
3.3 mm
系列
STL20N6F7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
3.3 mm
商标
STMicroelectronics
下降时间
7.8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
17.6 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
24.4 ns
典型接通延迟时间
15 ns
单位重量
28 mg
商品其它信息
优势价格，STL20N6F7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
D45H11G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 80V 50W PNP
1:¥6.5314
10:¥5.5709
100:¥4.2827
500:¥3.7855
1,000:¥2.9945
参考库存:21754
IRF9640STRLPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -200V HEXFET MOSFET
1:¥14.5996
800:¥14.5996
参考库存:40521
FF450R12ME4
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 450A
1:¥1,327.2528
5:¥1,295.3642
10:¥1,263.1705
25:¥1,245.4973
参考库存:4343
NTR4003NT1G
ON Semiconductor
晶体管
MOSFET NFET 30V .56A 1500M
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
3,000:¥0.29945
参考库存:462115
KSC1845FTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥2.2261
10:¥1.4803
100:¥0.61472
1,000:¥0.42262
2,000:¥0.32996
参考库存:255622
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