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晶体管
SQM110N05-06L_GE3参考图片

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SQM110N05-06L_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 最新
  • MOSFET 55V 110A 158W AEC-Q101 Qualified
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数量单价合计
1
¥24.0464
24.0464
10
¥21.7412
217.412
100
¥17.4472
1744.72
500
¥12.0684
6034.2
800
¥9.9892
7991.36
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
55 V
Id-连续漏极电流
110 A
Rds On-漏源导通电阻
4.7 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
110 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
157 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
SQ
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
90 S
下降时间
13 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
13 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
37 ns
典型接通延迟时间
12 ns
单位重量
1.438 g
商品其它信息
优势价格,SQM110N05-06L_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS MED PWR TAPE-7
1:¥3.0736
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
2,000:¥0.66105
参考库存:17185
晶体管
MOSFET NFET D2PK 40V 129A 4.5MOH
1:¥22.1254
10:¥18.8258
100:¥15.0629
500:¥13.1419
800:¥10.9158
参考库存:5567
晶体管
MOSFET P-Channel 30 V, 0.048 Ohm typ., 4 A STripFET H6 Power MOSFET in a SOT23-6L package
1:¥4.068
10:¥3.3335
100:¥2.034
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:30839
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥19.1309
10:¥15.9104
100:¥12.2944
500:¥10.7576
1,000:¥8.9157
3,000:¥8.2942
参考库存:31936
晶体管
IGBT 晶体管 Trench gate H series 600V 15A HiSpd
1:¥16.7466
10:¥14.2154
100:¥11.3678
500:¥9.9101
参考库存:7188
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