您好!欢迎来到隆乾胜芯城 登录 注册

产品分类

晶体管
CGHV40180F参考图片

图片仅供参考, 请参阅产品规格

  • 分享到:
  • 0

CGHV40180F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT
  • 数据手册下载
购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *联系人:
  • *电话:
  • QQ:
  • *邮箱:
 公司名:  微信:
库存:7,278(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2,663.9637
2663.9637
询价数量:
加入询价单立即询价
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
发货限制:
此产品可能需要其他文件才能从美国出口。
RoHS
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
20.3 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
125 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
18 A
输出功率
180 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
150 W
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440223
封装
Tray
工作频率
DC to 1000 MHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
开发套件
CGHV40180F-TB1
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 3.8 V
商品其它信息
优势价格,CGHV40180F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 6 60V NFET
5,000:¥1.7402
10,000:¥1.6724
25,000:¥1.6046
50,000:¥1.582
参考库存:33280
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.921
10:¥1.7628
100:¥1.1639
1,000:¥0.39211
3,000:¥0.32318
参考库存:33285
晶体管
MOSFET 700V Power MOSFET Superjunction N-chan
1:¥17.6732
10:¥15.9104
100:¥12.8368
500:¥9.9892
2,500:¥7.684
5,000:查看
参考库存:33290
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
1:¥335.3275
5:¥327.8808
10:¥312.897
25:¥299.7551
参考库存:33295
晶体管
MOSFET 8 BITS MICROCONTR
1:¥249.0407
5:¥246.4304
10:¥229.6725
25:¥219.3782
参考库存:33300
  • 一站式采购
  • 正品保障
  • 价格优势
  • 闪电发货

深圳市隆乾胜科技有限公司

电话:0755-82331103

手机:13048971103

传真:0755-82331102

Email:1531762882@qq.com

Q Q:

地址:深圳市福田区南园路66号佳兆业中心B座2F


微信联系我们

Copyright © 2010-2021 深圳市隆乾胜科技有限公司 粤ICP备2021106032号