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晶体管
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CG2H40010F

  • Wolfspeed / Cree
  • 最新
  • 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Cree, Inc.
产品种类
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS
是
晶体管类型
HEMT
技术
GaN
增益
16.5 dB
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
120 V
Vgs-栅源极击穿电压
- 10 V, 2 V
Id-连续漏极电流
1.5 A
输出功率
10 W
最大漏极/栅极电压
-
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
-
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
440166
封装
Tray
工作频率
DC to 6 GHz
商标
Wolfspeed / Cree
正向跨导 - 最小值
-
产品类型
RF JFET Transistors
工厂包装数量
250
子类别
Transistors
Vgs th-栅源极阈值电压
- 2.7 V
商品其它信息
优势价格，CG2H40010F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CPC3980ZTR
IXYS Integrated Circuits
晶体管
MOSFET N-Ch Depletion Mode Vertical DMOS FET
1:¥6.6896
10:¥5.8195
25:¥5.6726
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1,000:¥2.5764
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BSS306N H6327
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10:¥2.4521
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PMPB27EP,115
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10:¥2.8928
100:¥1.5707
1,000:¥1.1752
3,000:¥1.01474
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TPN4R303NL,L1Q
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5,000:¥2.7685
10,000:查看
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SI1302DL-T1-GE3
Vishay / Siliconix
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MOSFET 30V Vds 20V Vgs SC70-3
1:¥3.4578
10:¥2.6329
100:¥1.9549
500:¥1.6159
1,000:¥1.243
3,000:¥1.243
参考库存:199208
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