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晶体管
PD57030S-E参考图片

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PD57030S-E

  • STMicroelectronics
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 POWER R.F.
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数量单价合计
1
¥335.3275
335.3275
5
¥327.8808
1639.404
10
¥312.897
3128.97
25
¥299.7551
7493.8775
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
4 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14 dB
输出功率
30 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Straight-4
封装
Tube
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57030-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
52.8 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格，PD57030S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
2N3867S
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥84.8291
250:¥77.4502
500:¥72.5347
1,000:¥64.6247
参考库存:38588
JANS2N2369AUA
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
50:¥872.4391
100:¥853.4664
参考库存:38593
JANTXV2N3637/TR
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
100:¥211.1518
250:¥193.795
500:¥184.416
参考库存:38598
JAN2N2221AL
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
100:¥90.2079
250:¥82.2188
500:¥76.9191
1,000:¥70.5346
参考库存:38603
PN4391
Central Semiconductor
晶体管
JFET N-Ch 40Vgd 40Vgs 50mA 625mW 30 Ohm
2,500:¥2.2713
10,000:¥2.1922
25,000:¥2.1018
参考库存:38608
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