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晶体管
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PD57018S-E

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数量单价合计
1
¥249.0407
249.0407
5
¥246.4304
1232.152
10
¥229.6725
2296.725
25
¥219.3782
5484.455
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-2
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
65 V
Id-连续漏极电流
2.5 A
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 165 C
Pd-功率耗散
31.7 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
系列
PD57018-E
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
正向跨导 - 最小值
1 S
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
400
子类别
MOSFETs
商品其它信息
优势价格,PD57018S-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥318.4227
2:¥309.7443
5:¥301.2128
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1:¥3.616
10:¥3.0171
100:¥1.8419
1,000:¥1.4238
2,000:¥1.2091
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥82.603
10:¥74.3088
25:¥67.6983
50:¥63.0879
参考库存:36745
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR
1:¥2.9154
10:¥1.9888
100:¥0.82942
1,000:¥0.56839
10,000:¥0.37629
20,000:查看
参考库存:36750
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor 200mW
1:¥1.5368
10:¥1.4577
100:¥0.92999
1,000:¥0.31527
3,000:¥0.26103
参考库存:36755
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