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晶体管
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MRFX1K80GNR5

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80GN/FM4///REEL 13
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1
¥1,633.1551
1633.1551
5
¥1,593.8198
7969.099
10
¥1,554.2472
15542.472
25
¥1,532.4947
38312.3675
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
是
晶体管极性
Dual N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
43 A
Vds-漏源极击穿电压
- 500 mV, 179 V
增益
24.4 dB
输出功率
1.8 kW
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
OM-1230G-4L
封装
Cut Tape
封装
Reel
工作频率
1.8 MHz to 400 MHz
系列
MRFX1K80
类型
RF Power MOSFET
商标
NXP Semiconductors
正向跨导 - 最小值
44.7 S
通道数量
2 Channel
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
3333 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
- 6 V, 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压
2.1 V
零件号别名
935362677578
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.20001
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