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晶体管
TSM60NB099CZ C0G参考图片

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TSM60NB099CZ C0G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ G2, 600V, 38A
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库存:49,227(价格仅供参考)
数量单价合计
4,000
¥26.5889
106355.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
86 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
62 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
298 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
N-Channel Power MOSFET
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
25 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
24 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
87 ns
典型接通延迟时间
18 ns
商品其它信息
优势价格,TSM60NB099CZ C0G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V Dual PNP
1:¥3.1527
10:¥2.0453
100:¥0.87575
1,000:¥0.67574
8,000:¥0.45313
24,000:查看
参考库存:84274
晶体管
MOSFET 100V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥8.2942
10:¥6.8591
100:¥5.2658
500:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:28101
晶体管
MOSFET PT5 150/25V Pch PowerTrench MOSFET
1:¥6.6105
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
3,000:¥2.3843
参考库存:21828
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥28.9732
10:¥24.0464
100:¥19.7524
250:¥19.1309
500:¥17.2099
参考库存:6905
晶体管
MOSFET OptiMOS -5 Power-Transistor
1:¥33.6514
10:¥28.589
100:¥24.8148
250:¥23.5153
参考库存:13282
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