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晶体管
AUIRFSL8409参考图片

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AUIRFSL8409

  • Infineon / IR
  • 最新
  • MOSFET Auto 40V N-Ch FET 1.2 mOhms 195A
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数量单价合计
1
¥37.4256
37.4256
10
¥31.8095
318.095
100
¥27.5833
2758.33
250
¥26.1256
6531.4
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
40 V
Id-连续漏极电流
195 A
Rds On-漏源导通电阻
1.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3.9 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
300 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
375 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
CoolIRFet
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon / IR
正向跨导 - 最小值
150 S
下降时间
100 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
105 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
160 ns
典型接通延迟时间
32 ns
零件号别名
SP001516096
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，AUIRFSL8409的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRGP4062D
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST COPACK TRENCH IGBT
1:¥62.1613
10:¥56.1723
25:¥53.562
100:¥46.4882
参考库存:1750
CSD23202W10T
Texas Instruments
晶体管
MOSFET 12V PCH NexFET
1:¥3.5369
10:¥2.9154
100:¥1.7967
250:¥1.7967
1,000:¥1.3899
参考库存:2372
STB6N60M2
STMicroelectronics
晶体管
MOSFET N-CH 600V 1.06Ohm 4.5A MDmesh M2
1:¥10.2943
10:¥8.7575
100:¥6.78
500:¥5.989
1,000:¥4.7234
参考库存:4909
APT35GN120L2DQ2G
Microsemi
晶体管
IGBT 晶体管 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥93.3606
10:¥83.9816
25:¥76.5349
50:¥71.303
参考库存:1281
2SC4207-BL(TE85L,F
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Gen Trans NPN NPN 50V, 0.15A, SMV
1:¥4.2262
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:8948
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