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IGB30N60H3

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20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
1,000
¥10.8367
10836.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Cut Tape
封装
Reel
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB30N60H3ATMA1 IGB3N6H3XT SP000852240
单位重量
2.200 g
商品其它信息
优势价格，IGB30N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
VS-GB200TH120N
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D3S070N65D-U
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2,520:¥16.8257
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AUIRLR3114ZTRL
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3,000:¥7.571
6,000:¥7.2998
9,000:¥7.0173
参考库存:51722
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