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晶体管

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TSM80N1R2CH C5G

  • Taiwan Semiconductor
  • 最新
  • MOSFET Power MOSFET, N-CHAN 800V, 5.5A, 1200mOhm
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库存:47,010(价格仅供参考)
数量单价合计
15,000
¥5.5144
82716
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
5.5 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
19.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
产品
Rectifiers
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
55 ns
典型接通延迟时间
22 ns
商品其它信息
优势价格,TSM80N1R2CH C5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30V,NCh NexFET Pwr MOSFET
1:¥11.9102
10:¥10.1474
100:¥7.7631
500:¥6.8817
2,500:¥4.8138
10,000:查看
参考库存:48046
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 12V 2A
1:¥4.0002
10:¥3.0397
100:¥1.6498
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:6008
晶体管
IGBT 晶体管 1250V 20A Shorted Anode IGBT
1:¥20.4417
10:¥17.3681
100:¥15.0629
250:¥14.2945
参考库存:1930
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN 2.2KOhms 250MHz
1:¥2.0792
10:¥1.356
100:¥0.66105
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:24462
晶体管
MOSFET 20V N-Ch P-Ch FET 8.0Vgs 125mW
1:¥3.9211
10:¥3.3335
100:¥2.1018
1,000:¥1.5707
8,000:¥1.2543
24,000:查看
参考库存:36284
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