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晶体管
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FGA20S125P-SN00336

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数量单价合计
1
¥20.4417
20.4417
10
¥17.3681
173.681
100
¥15.0629
1506.29
250
¥14.2945
3573.625
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
是
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3PN
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1250 V
集电极—射极饱和电压
2 V
栅极/发射极最大电压
25 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
250 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
FGA20S125P
封装
Tube
商标
ON Semiconductor / Fairchild
栅极—射极漏泄电流
500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
FGA20S125P_SN00336
单位重量
6.400 g
商品其它信息
优势价格，FGA20S125P-SN00336的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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参考库存:9051
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