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晶体管
DMT10H009LSS-13参考图片

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DMT10H009LSS-13

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库存:129,781(价格仅供参考)
数量单价合计
2,500
¥3.2092
8023
10,000
¥3.0849
30849
25,000
¥2.9945
74862.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
13 A
Rds On-漏源导通电阻
9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
40.2 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.8 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Reel
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
14.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.6 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
28.3 ns
典型接通延迟时间
5.4 ns
商品其它信息
优势价格,DMT10H009LSS-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 300V N-Channel QFET
1:¥20.2044
10:¥17.1308
100:¥13.7521
500:¥11.9893
1,000:¥9.9101
参考库存:8850
晶体管
射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
1:¥3.0736
10:¥2.5312
100:¥1.5481
1,000:¥1.1978
3,000:¥1.02152
参考库存:4447
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥1,386.1145
2:¥1,352.7682
5:¥1,333.0158
10:¥1,314.1222
参考库存:3694
晶体管
MOSFET 40V 3Ohm
1:¥4.5313
10:¥4.52
25:¥3.7177
100:¥3.4013
参考库存:26061
晶体管
MOSFET PFET 20V 3.2A 85MO
1:¥4.068
10:¥3.4352
100:¥2.1018
1,000:¥1.6159
3,000:¥1.3786
参考库存:44713
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