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晶体管
MMDT4413-7-F参考图片

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MMDT4413-7-F

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 40 / 40V 200mW
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数量单价合计
1
¥3.1527
3.1527
10
¥2.1809
21.809
100
¥1.00683
100.683
1,000
¥0.7684
768.4
3,000
¥0.66105
1983.15
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-363-6
晶体管极性
NPN, PNP
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
60 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
0.75 V
最大直流电集电极电流
0.6 A
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MMDT44
直流电流增益 hFE 最大值
300
高度
1 mm
长度
2.2 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.35 mm
商标
Diodes Incorporated
集电极连续电流
0.6 A
Pd-功率耗散
200 mW (1/5 W)
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
6 mg
商品其它信息
优势价格,MMDT4413-7-F的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET BUK9C1R3-40E/D2PAK/REEL13
暂无价格
参考库存:41230
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS PNP 200mW
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
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45,000:¥0.18419
参考库存:41235
晶体管
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2,500:¥3.2092
10,000:¥3.0849
25,000:¥2.9945
参考库存:41240
晶体管
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3,000:¥2.0001
6,000:¥1.8758
9,000:¥1.808
24,000:¥1.7289
参考库存:41245
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 978-1090 MHz, 250 W Peak, 50 V
500:¥1,609.9562
参考库存:41250
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