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晶体管
2DB1188Q-13参考图片

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2DB1188Q-13

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1000W -32Vceo
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.4973
24.973
100
¥1.5255
152.55
1,000
¥1.1865
1186.5
2,500
¥1.00683
2517.075
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 32 V
集电极—基极电压 VCBO
- 40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 5 V
集电极—射极饱和电压
- 800 mV
最大直流电集电极电流
- 3 A
增益带宽产品fT
120 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB11
高度
1.5 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.48 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
1000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,2DB1188Q-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 10V Drive Nch MOSFET
1:¥20.0575
10:¥17.063
100:¥13.673
500:¥11.9102
1,000:¥9.9101
参考库存:6614
晶体管
MOSFET 60V, N-channel NexFET Pwr MOSFET
1:¥18.2834
10:¥15.594
100:¥12.4526
250:¥12.4526
500:¥10.8367
参考库存:3956
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 30V 3A
1:¥5.2997
10:¥4.3844
100:¥2.825
1,000:¥2.2713
3,000:¥1.9097
参考库存:15933
晶体管
IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 20A
1:¥28.815
10:¥24.4306
100:¥21.2101
250:¥20.1366
500:¥18.0574
参考库存:6595
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP Resistor Equipped Transistor
1:¥3.2318
10:¥2.2713
100:¥1.04525
1,000:¥0.79891
10,000:¥0.62263
20,000:查看
参考库存:53177
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