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晶体管
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BFU520AR

  • NXP Semiconductors
  • 最新
  • 射频(RF)双极晶体管 Dual NPN wideband Silicon RFtransistor
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数量单价合计
1
¥3.0736
3.0736
10
¥2.5312
25.312
100
¥1.5481
154.81
1,000
¥1.1978
1197.8
3,000
¥1.02152
3064.56
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
NXP
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
是
晶体管类型
Bipolar Wideband
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
60
集电极—发射极最大电压 VCEO
16 V
发射极 - 基极电压 VEBO
2 V
集电极连续电流
5 mA
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
配置
Single
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极—基极电压 VCBO
24 V
直流电流增益 hFE 最大值
200
工作频率
900 MHz
工作温度范围
- 40 C to + 150 C
类型
Wideband RF Transistor
商标
NXP Semiconductors
增益带宽产品fT
10 GHz
最大直流电集电极电流
50 mA
Pd-功率耗散
450 mW
产品类型
RF Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
934067697215
单位重量
7.530 mg
商品其它信息
优势价格，BFU520AR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMNH10H028SCT
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
参考库存:5043
MSC140SMA120S
Microsemi
晶体管
MOSFET
1:¥109.1919
5:¥103.5758
10:¥99.7338
25:¥95.8918
参考库存:5200
DDC144EH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:169547
TN2640N3-G P003
Microchip Technology
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.6051
25:¥9.605
100:¥8.7575
2,000:¥5.65
参考库存:27052
DDA144EH-7
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:27057
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