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晶体管
FDA70N20参考图片

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FDA70N20

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库存:4,050(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥25.4363
25.4363
10
¥21.5943
215.943
100
¥18.7467
1874.67
250
¥17.7523
4438.075
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-3PN-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
70 A
Rds On-漏源导通电阻
35 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
417 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
高度
20.1 mm
长度
16.2 mm
系列
FDA70N20
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
39 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
235 ns
工厂包装数量
450
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65 ns
典型接通延迟时间
71 ns
零件号别名
FDA70N20_NL
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FDA70N20的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-channel 600 V, 105 mOhm typ., 22 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-220 package
1:¥22.7469
10:¥19.3682
100:¥16.7466
250:¥15.9104
参考库存:5736
晶体管
MOSFET N-Chan 400V 1.7 Amp
1:¥6.8365
10:¥5.5822
3,000:¥5.5822
参考库存:13883
晶体管
MOSFET 650V Vds; 30V Vgs TO-247AC
1:¥56.7825
10:¥51.0986
50:¥46.5673
100:¥42.036
250:¥38.5782
参考库存:1510
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
2,500:¥4.0341
参考库存:13887
晶体管
IGBT 模块
1:¥1,397.9456
5:¥1,364.2942
10:¥1,330.4055
25:¥1,311.817
参考库存:1439
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