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晶体管
2DA1774QLP-7参考图片

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2DA1774QLP-7

  • Diodes Incorporated
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 250mW -40V
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数量单价合计
3,000
¥0.59212
1776.36
9,000
¥0.53788
4840.92
24,000
¥0.50737
12176.88
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
DFN-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
40 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
最大直流电集电极电流
0.1 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DA17
直流电流增益 hFE 最大值
120 at 1 mA, 6 V
高度
0.47 mm
长度
1 mm
封装
Reel
宽度
0.6 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
120
Pd-功率耗散
250 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,2DA1774QLP-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET Dual N-Ch EPAD FET Array VGS=0.0V
1:¥41.4145
10:¥39.7308
25:¥36.4199
50:¥34.7362
参考库存:1538
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80GN/FM4///REEL 13
1:¥1,633.1551
5:¥1,593.8198
10:¥1,554.2472
25:¥1,532.4947
参考库存:1595
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
1:¥429.3774
参考库存:3392
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) GP Amp Trans
1:¥1.5368
10:¥1.3899
100:¥0.49155
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:37219
晶体管
MOSFET Small Signal Mosfet
1:¥3.9211
10:¥3.3335
100:¥2.1018
1,000:¥1.5707
3,000:¥1.3334
参考库存:14751
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