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晶体管
MJF3055G参考图片

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MJF3055G

  • ON Semiconductor
  • 最新
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 10A 90V 30W NPN
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数量单价合计
1
¥11.6051
11.6051
10
¥9.9101
99.101
100
¥7.6049
760.49
500
¥6.7235
3361.75
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220FP-3
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
90 V
集电极—基极电压 VCBO
90 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
1 V
最大直流电集电极电流
10 A
增益带宽产品fT
2 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
MJF3055
高度
9.24 mm (Max)
长度
10.63 mm (Max)
封装
Tube
宽度
4.9 mm (Max)
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
10 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
20
Pd-功率耗散
30 W
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
50
子类别
Transistors
单位重量
2.300 g
商品其它信息
优势价格，MJF3055G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMT3006LFG-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥5.6839
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
2,000:¥2.4634
参考库存:13407
HN1C01FE-Y,LF
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor for Small Signal Amp
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
4,000:¥0.33787
参考库存:50794
FDMA1032CZ
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 20V Complementary PowerTrench MOSFET
1:¥5.763
10:¥4.8364
100:¥3.1188
1,000:¥2.4973
3,000:¥2.1018
参考库存:415761
DTA143ZCAT116
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP -100mA -50V w/bias resistor
1:¥1.695
10:¥1.1413
100:¥0.47686
1,000:¥0.32996
3,000:¥0.25312
参考库存:27198
IRF840PBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET N-CH 500V HEXFET MOSFET
1:¥13.2888
10:¥10.9158
参考库存:54740
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